Специалисты Национального исследовательского центра «Курчатовский институт» разработали новый класс материалов на базе кремния и германия, которые могут ускорить развитие наноэлектроники. Об этом сообщили ТАСС в пресс-службе центра. Результаты работы, поддержанной грантом Российского научного фонда, опубликованы в высокорейтинговых журналах Small и Journal of Materials Science & Technology.
Развитие электроники требует создания новых материалов, которые бы обеспечивали одновременно компактность новых устройств и наделяли их новыми функциями. Одно из перспективных направлений таких исследований - сверхпроводящие и магнитные материалы. Российские ученые получили материалы, объединяющие эти свойства. Это слоистые структуры, свойства которых можно менять за счет добавления или уменьшения количества слоев.
«Материалы были получены благодаря разработке оригинального метода синтеза с использованием прекурсоров (исходных компонентов в реакции - прим. ТАСС) на основе силицена и германена. [Синтезированные структуры] демонстрируют широкий спектр свойств - от магнетизма с высокой подвижностью носителей заряда до сверхпроводимости. Они могут стать базой для создания новых устройств наноэлектроники и спинтроники», - сказали ТАСС в научном центре.
«Современные информационные технологии в значительной степени построены на полупроводниковой базе. Наш подход состоит в синтезе наноматериалов, [совмещенных] с полупроводниковой платформой. Удалось создать целые классы новых материалов, обладающих различными функциональными свойствами. На наш взгляд, сверхпроводимость и магнетизм этих материалов позволяют существенно расширить возможности при создании устройств наноэлектроники», - рассказал руководитель проекта, ведущий научный сотрудник лаборатории новых элементов наноэлектроники НИЦ "Курчатовский институт" Андрей Токмачёв.
