Новости

19 февраля, 2019 13:33

Ученые университета МИСиС разработают сенсоры для магнитной диагностики

Источник: Интерфакс
Группа ученых из университета «МИСиС» разработает высокочувствительные магнитные сенсоры, которые позволят определить и измерить сверхслабые магнитные поля, индуцируемые электрическими токами в нервных клетках. Об этом 18 февраля сообщает пресс-служба вуза.
Источник: пресс-служба МИСиС

Летом прошлого года команда ученых кафедры материаловедения полупроводников и диэлектриков (МПиД) НИТУ «МИСиС» выиграла грант Российского научного фонда на разработку датчиков сверхслабых магнитных полей на основе композитных мультиферроиков — материалов, способных эффективно преобразовывать внешнее магнитное поле в электрический сигнал.

В проекте будут изучены факторы, влияющие на чувствительность таких материалов к магнитному полю, а также разработаны решения, направленные на получение максимума соотношения «полезный сигнал-шум» в сверхчувствительных сенсорах магнитного поля. Накопленный опыт позволит усовершенствовать методики измерения предела детектирования магнитного поля при помощи композитных мультиферроиков.

Отмечается, что на сегодняшний день чувствительность первых лабораторных прототипов достигает 200 фТл (фемтотесла =10−15 тесла, т. е. датчики улавливают магнитное поле крайне малой величины), чего уже сейчас должно быть достаточно для детектирования магнитного поля сердца человека. Для того, чтобы датчики могли конкурировать со сверхпроводящими квантовыми интерферометрами, необходимо повысить их чувствительность. Это планируется сделать за счет изучения способов уменьшения внешнего акустического и электромагнитного шума, а также усовершенствования конструкции разрабатываемого датчика магнитного поля.

28 марта, 2024
Ученые ИТМО создали более долговечные синие перовскитные светодиоды
Ученые ИТМО нашли новый способ получения синего излучения у перовскитных нанокристаллов. Он позвол...
28 марта, 2024
Ученые научились управлять мощностью электронного пучка в течение его импульса
В Институте сильноточной электроники СО РАН модернизирована уникальная научная электронно-пучковая...